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BFR181W 参数 Datasheet PDF下载

BFR181W图片预览
型号: BFR181W
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内容描述: NPN硅晶体管RF [NPN Silicon RF Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 7 页 / 81 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BFR181W
Power Gain
G
ma
,
G
ms
=
f(V
CE
):_____
|
S
21
|
2
=
f(V
CE
):---------
f
= Parameter
20
Intermodulation Intercept Point
IP
3
=f(I
C
)
(3rd order, Output,
Z
S
=Z
L
=50 )
V
CE
= Parameter,
f
= 900MHz
22
I
C
=5mA
dB
0.9GHz
dBm
18
16
14
0.9GHz
1.8GHz
16
14
3V
IP
3
G
12
10
8
6
4
2
0
0
1.8GHz
12
10
8
6
4
2
0
-2
1V
2V
2
4
6
8
V
12
-4
1
3
5
7
9
V
CE
Power Gain
G
ma
,
G
ms
=
f(f)
V
CE
= Parameter
30
Power Gain
|S
21
|
2
=
f(f)
V
CE
=
Parameter
25
I
C
=5mA
dB
dB
I
C
=5mA
20
G
S
21
15
15
10
10
10V
1V
10V
5
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
GHz
3.5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
f
7

8V
5V
11
13
mA
17
I
C
1V
2.5
GHz
3.5
f
Jun-27-2001