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C1227 参数 Datasheet PDF下载

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型号: C1227
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内容描述: 高压BiCMOS工艺1.2毫米30V双金属 - 双聚 [HV BiCMOS 1.2mm 30V Double Metal - Double Poly]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 2 页 / 30 K
品牌: IMP [ IMP, INC ]
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流程C1227
物理特性
扩散&薄膜
符号
起始原料p<100>
ρ
N阱(F )
井(场)薄膜电阻
ρ
N+
N +薄膜电阻
N +结深
x
JN +
ρ
P+
P +薄膜电阻
P +结深
x
JP +
基极电阻
RSHB_RB
高电压栅氧化层
HT
葡萄糖氧化酶
栅氧化层厚度
T
葡萄糖氧化酶
Interpoly氧化层厚度
IP
OX
ρ
POLY1
多晶硅栅薄膜电阻
POLY2电阻
RSH_PL P
ρ
M1
金属- 1表面电阻
ρ
M2
金属-2表面电阻
钝化厚度
T
最低
1.5
20.0
50.0
1.33
典型
2.1
35.0
0.4
75.0
0.4
1.66
22
22
42
22.0
2
45.0
25.0
200+900
最大
2.7
50.0
100.0
2.00
单位
KΩ/
Ω/
µm
Ω/
µm
KΩ /平方米
nm
nm
nm
Ω/
kΩ/
mΩ/
mΩ/
nm
评论
N阱
33.6
15.0
1.5
35.0
19.0
50.4
30.0
2.5
65.0
35.0
氧化+氮化
布局规则
闽信道宽度
闵间距,活动区, 5V
POLY 1宽度/空间
POLY2宽度/空间
接触宽度/空间
通过宽/空间
金属- 1宽/空间
金属- 2宽/空间
多晶硅栅宽/空间
N + / P +宽/空间
4.0µm
2.0µm
1.4/2.0µm
3.0/2.0µm
1.4x1.4µm
1.4/1.6µm
2.6/1.6µm
2.6/1.6µm
1.5/2.0µm
2.5/2.0µm
联系方式扩散重叠
联系聚重叠
金属- 1重叠联系
联系保利空间
最小焊盘开幕
金属- 1的重叠通过
金属-2重叠中通过
最小焊盘开幕
最小焊盘到焊盘间距
最小焊盘间距
1.0µm
1.0µm
1.5µm
1.5µm
65x65µm
1.0µm
1.0µm
65x65µm
5.0µm
80µm
72
C1227-4-98