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型号: C1227
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内容描述: 高压BiCMOS工艺1.2毫米30V双金属 - 双聚 [HV BiCMOS 1.2mm 30V Double Metal - Double Poly]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 2 页 / 30 K
品牌: IMP [ IMP, INC ]
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®
ISO 9001认证
流程C1227
高压BiCMOS工艺为1.2μm
30V双金属 - 双聚
电气特性
符号
N沟道高压晶体管
阈值电压
HVT
N
HVBVDSS
P
穿通电压
抗性
HVPR
0N
工作电压
N沟道低电压晶体管
阈值电压
VT
N
身体因素
γ
N
传导因子
β
N
有效沟道长度
莱夫
N
宽度侵占
∆W
N
穿通电压
BVDSS
N
保利场阈值电压VTFP
N
符号
P沟道高压晶体管
阈值电压
HVT
P
穿通电压
HVBVDSS
P
抗性
HVPR
0N
P沟道低电压晶体管
阈值电压
VT
P
身体因素
γ
P
传导因子
β
P
有效沟道长度
莱夫
P
宽度侵占
∆W
P
穿通电压
BVDSS
P
保利场阈值电压VTF
P(P)
电容
栅氧化层
金属-1至POLY 1
金属-2到金属-1-
垂直的NPN晶体管
Beta版
早电压
截止频率
符号
C
OX
C
M1P
C
MM
符号
h
FE
V
A
f
τ
最低
0.7
36
典型
0.9
1.4
V
GS
= 5V
V
DS
= 30V
0.4
0.50
64.0
1.20
8
10
最低
–0.7
–36
0.6
0.65
75.0
1.35
0.45
18
典型
–0.9
11.0
最大
–1.1
0.8
0.80
86.0
1.50
T=25
o
C除非另有说明
最大
单位
评论
1.1
V
V
mΩ-
cm
2
V
@V
GS
= 5V
V
DS
= 0.1V
V
V
1/2
μA / V
2
µm
µm
V
V
单位
V
V
mΩ-
cm
2
V
V
1/2
μA / V
2
µm
µm
V
V
单位
FF /微米
2
FF /微米
2
FF /微米
2
单位
V
GHz的
100x1.4µm
100x1.4µm
100x100µm
100x1.4µm
每面
评论
@V
GS
= –5V
@V
DS
= –0.1V
100x1.4µm
100x1.4µm
100x100µm
100x1.4µm
每面
–0.8
0.35
20.0
1.35
–8
–10
最低
1.338
0.040
0.043
最低
50
–0.6
0.50
25.0
1.50
0.40
–18
典型
1.439
0.046
0.050
典型
140
34
1.89
–0.4
0.65
30.0
1.65
最大
1.569
0.052
0.057
最大
240
评论
评论
4.5x4.5µm
©进出口公司
71