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ICE7N60 参数 Datasheet PDF下载

ICE7N60图片预览
型号: ICE7N60
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 605 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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Preliminary Data Sheet  
ICE7N60  
Capacitance  
Drain-to-Source Breakdown Voltage vs. Junction Temperature  
10000  
1000  
100  
10  
1.2  
1.1  
Ciss  
ID = 1mA  
1.0  
0.9  
0.8  
Coss  
Crss  
1
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
Transient Thermal Response, Junction-to-Case  
Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area  
100  
1.00  
0.5  
Single Pulse,  
Tc = 25oC,  
Tj=150oC,  
VGS = 10V  
0.2  
10  
0.1  
10us  
0.10  
0.05  
100us  
0.02  
1
1ms  
10ms  
0.01  
Single Pulse  
RDS(on) Limit  
Package Limit  
Thermal Limit  
DC  
0.1  
0.00  
0.01  
1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00  
1
10  
100  
1000  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
t - Time (seconds)  
SP-7N60-000-3  
05/15/2013  
5