ICE7N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ICE7N60
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 605 K
品牌：	ICEMOS [ Icemos Technology ]

Preliminary Data Sheet

ICE7N60

Values

Unit

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Gate charge characteristics

Q_gs

Gate to source charge

4.6

6.4

Q_gd

Gate to drain charge

Gate charge total

V_DS=480 V, I_D=7A,

V_GS=0 to 10 V

Q_g

Gate plateau voltage

V_plateau

5.5

Reverse Diode

V_SD

t_rr

V_GS=0V, I_S=I_F

µC

Diode forward voltage

0.9

277

2.6

1.2

Reverse recovery time

V_RR=480V, I_S=I_F,

d_iFId_t=100 A/µS

Reverse recovery charge

Peak reverse recovery current

Q_rr

I_rm

SP-7N60-000-3

05/15/2013

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