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ICE47N65W 参数 Datasheet PDF下载

ICE47N65W图片预览
型号: ICE47N65W
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 593 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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Preliminary Data Sheet  
ICE47N65W  
Transfer Characteristics  
Output Characteristics  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
VGS=10 to 6.5V  
6V  
5.5V  
TJ = 150˚C  
5V  
4.5V  
25˚C  
0
2
4
6
8
10  
0
0
0
2
4
6
8
10  
VGS - Gate-to-Source (V)  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
On Resistance vs Junction Temperature  
On Resistance vs Drain Current  
200  
160  
120  
80  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
VGS = 10V  
ID = 23A  
VGS = 10V  
40  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
ID - Drain current (A)  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
Gate Charge  
Gate Threshold Voltage vs Junction Temperature  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
VDS  
=
480V  
ID = 47A  
ID = 250μA  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
50  
100  
150  
200  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
Qg - Total Gate Charge (nC)  
SP-47N65W-000-3a  
06/05/2013  
4