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ICE47N65W 参数 Datasheet PDF下载

ICE47N65W图片预览
型号: ICE47N65W
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 593 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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Preliminary Data Sheet  
ICE47N65W  
Values  
Unit  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Gate charge characteristics  
Qgs  
Gate to source charge  
-
-
-
-
36  
62  
-
-
-
-
Qgd  
nC  
V
Gate to drain charge  
Gate charge total  
VDS=480 V, ID=47A,  
VGS=0 to 10 V  
Qg  
187  
5.3  
Gate plateau voltage  
Vplateau  
Reverse Diode  
VSD  
trr  
VGS=0V, IS=IF  
V
ns  
µC  
A
Diode forward voltage  
-
-
-
-
0.95  
547  
12  
1.2  
Reverse recovery time  
-
-
-
VRR=480V, IS=IF,  
diFIdt=100 A/µS  
Reverse recovery charge  
Peak reverse recovery current  
Qrr  
Irm  
43  
SP-47N65W-000-3a  
06/05/2013  
3