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IBM0625404GT3B-10E 参数 Datasheet PDF下载

IBM0625404GT3B-10E图片预览
型号: IBM0625404GT3B-10E
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内容描述: [DDR DRAM, 64MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 75 页 / 1245 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBM0625404GT3B IBM0625164GT3B  
IBM0625804GT3B IBM06254B4GT3B  
256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM  
Advance  
Read to Precharge: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)  
CAS Latency = 2  
CK  
CK  
Read  
NOP  
PRE  
NOP  
NOP  
ACT  
Command  
t
RP  
BA a or all  
BA a, COL n  
BA a, ROW  
Address  
CL=2  
DQS  
DQ  
DOa-n  
CAS Latency = 2.5  
CK  
CK  
Read  
NOP  
PRE  
NOP  
NOP  
ACT  
Command  
t
RP  
BA a or all  
BA a, COL n  
BA a, ROW  
Address  
CL=2.5  
DQS  
DQ  
DOa-n  
DO a-n = data out from bank a, column n.  
Cases shown are either uninterrupted bursts of 4 or interrupted bursts of 8.  
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.  
Shown with nominal t , t , and t  
.
DQSQ  
AC DQSCK  
Don’t Care  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
29L0011.E36997  
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