欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IBM0165805BJ3C-60 参数 Datasheet PDF下载

IBM0165805BJ3C-60图片预览
型号: IBM0165805BJ3C-60
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 X 0.825 INCH, PLASTIC, SOJ-32]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 32 页 / 353 K
品牌: IBM [ IBM ]
 浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第13页浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第14页浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第15页浏览型号IBM0165805BJ3C-60的Datasheet PDF文件第16页  
IBM0165805B  
IBM0165805P  
8M x 8 12/11 EDO DRAM  
ADVANCED  
Write Cycle (Early Write)  
tRC  
tRAS  
tRP  
VIH  
RAS  
VIL  
tCSH  
tCRP  
tRCD  
tRSH  
VIH  
tCAS  
CAS  
VIL  
tRAD  
tASR  
tASC  
tRAH  
tCAH  
VIH  
VIL  
Address  
Row  
Column  
tWRH  
tWRP  
tWCS  
tWCH  
VIH  
VIL  
tWP  
WE  
OE  
NOTE 1  
VIH  
VIL  
tDS  
tDH  
VIH  
VIL  
DIN  
Valid Data In  
VOH  
VOL  
DOUT  
Hi-Z  
NOTE 1: Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.  
: “H” or “L”  
Doing so will facilitate compatibility with future HPM DRAMs.  
©IBM Corporation, 1996. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
27H6251  
SA14-4241-02  
10/96  
Page 12 of 32