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IBM0164165BT3C-60 参数 Datasheet PDF下载

IBM0164165BT3C-60图片预览

型号：	IBM0164165BT3C-60
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	[EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, PLASTIC, TSOP2-50]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	28 页 / 480 K
品牌：	IBM [ IBM ]

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Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)

IBM0164165B

IBM0164165P

4M x 16 13/9 EDO DRAM

Self Refresh Cycle (Sleep Mode) - Low Power version only

t_RASS

t_RPS

V_IH

RAS

V_IL

t_RPC

t_CSR

t_CRP

t_CHS

t_CP

V_IH

V_IL

UCAS

LCAS

t_WRH

t_WRP

V_IH

V_IL

WE

t_OFF

V_OH

V_OL

D_OUT

Hi-Z

: “H” or “L”

NOTE: Address and OE are “H” or “L”

Once t_RASS(min) is provided and RAS remains low, the DRAM will be in Self Refresh,

commonly known as “Sleep Mode.”

©IBM Corporation. All rights reserved.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

88H2012

GA14-4251-02

Revised 11/97

Page 25 of 28

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