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IBM0118160MT3-70 参数 Datasheet PDF下载

IBM0118160MT3-70图片预览
型号: IBM0118160MT3-70
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内容描述: [Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 27 页 / 280 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBM0118160 IBM0118160M  
IBM0118160B IBM0118160P  
1M x 16 10/10 DRAM  
Self Refresh Cycle (Sleep Mode) - Low Power version only  
tRASS  
tRPS  
VIH  
RAS  
VIL  
tRPC  
tCHS  
tCSR  
tCRP  
tCP  
tCHD  
VIH  
VIL  
UCAS  
LCAS  
tWRH  
tWRP  
VIH  
VIL  
WE  
tOFF  
VOH  
VOL  
DOUT  
Hi-Z  
: “H” or “L”  
NOTES:  
1. Address and OE are “H” or “L”  
2. Once RAS (min) is provided and RAS remains low, the DRAM  
will be in Self Refresh, commonly known as “Sleep Mode.”  
3. If tRASS > tCHD (min) then tCHD applies.  
If tRASS tCHD (min) then tCHS applies.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
43G9388  
SA14-4209-04  
Revised 11/96  
Page 23 of 26  
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