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HY57V161610ET-7 参数 Datasheet PDF下载

HY57V161610ET-7图片预览
型号: HY57V161610ET-7
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内容描述: 2 ,银行X 512K ×16位同步DRAM [2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 13 页 / 182 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V161610E
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度·时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260·10
等级
°C
°C
V
V
mA
W
°C
微秒
单位
注意:在运行上述绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
DC工作条件
( TA = 0 ° C至70 ° C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
1, 2, 3
1, 4
1, 5
注意:
1.所有电压参考V
SS
= 0V.
2.V
DD
(分钟)为3.15V时, HY57V161610ET - 7工作在CAS延时= 2
3.V
DD
HY57V161610ET -5/ 55 (分钟)是3.15V
4.Vih (最大) : 4.6V AC脉冲宽度<为3ns的持续时间。
5.Vil (分钟) : -1.5V交流脉冲宽度<为3ns的持续时间。
交流工作条件下
( TA = 0 ° C至70 ° C,V
DD
= 3.0V至3.6V ,V
SS
=0V)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
符号
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
30
单位
V
V
ns
V
pF
1
注意:
1.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容( 30pF的) 。
有关详细信息,请参阅AC / DC输出负载电路。
2. V
DD
(分钟)为3.15V时, HY57V161610ET - 7工作在CAS延时= 2, TCK2 = 8.9ns
3. V
DD
HY57V161610ET -5/ 55 (分钟)是3.15V '
修订版0.2 / 2003年8月
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