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    HY57V161610ET-7 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V161610ET-7图片预览
    型号： HY57V161610ET-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2 ，银行X 512K ×16位同步DRAM [2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 13 页 / 182 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第12页浏览型号HY57V161610ET-7的Datasheet PDF文件第13页  
    HY57V161610E
    AC特性
    放慢参数
    （ TA = 0 ° C至70 ° C，V
    DD
    = 3.0V至3.6V ，V
    SS
    =0V
    Note1,2
    ))
    -5
    符号
    民
    最大
    民
    55
    55
    16.5
    100K
    38.5
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    1
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    1
    1
    64
    64
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    民
    60
    60
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    -
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    民
    70
    70
    20
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    3
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    64
    ns
    ns
    ns
    ns
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    ms
    3
    -55
    -6
    -7
    单位
    记
    手术
    RAS周期时间
    自动刷新
    RAS到CAS延迟
    RAS活动时间
    RAS预充电时间
    RAS到RAS银行主动延迟
    CAS到CAS银行主动延迟
    写命令数据在延迟
    数据到预充电命令
    输入数据为ACTIVE命令
    DQM数据，在高阻
    DQM到数据屏蔽
    黄新建命令
    预充电到数据输出高阻
    掉电退出时间
    自刷新退出时间
    刷新时间
    TRC
    TRRC
    tRCD的
    tRAS的
    激进党
    TRRD
    TCCD
    tWTL
    tDPL
    tDAL
    tDQZ
    TDQM
    超过tMRD
    tPROZ
    TPDE
    tSRE
    TREF
    55
    55
    15
    40
    3
    2
    1
    0
    1
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    2
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    修订版0.2 / 2003年8月
    9

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