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HY29F800BT-70 参数 Datasheet PDF下载

HY29F800BT-70图片预览
型号: HY29F800BT-70
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内容描述: X8 / X16闪存EEPROM [x8/x16 Flash EEPROM ]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 40 页 / 508 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY29F800
在图1的流程图说明了proce-
杜热保护部门和时序规范
tions和波形如图中的说明
本文档的部分列出。亲验证
如在Elec-描述tection完成
tronic的ID模式部分和在流程图中示出。
用于扇区解除保护的方法被示
该流程图在图2中,与定时规范中
tions和波形的这个末尾给出
文档。
需要注意的是取消保护所有部门,所有的
未受保护的扇区必须首先被事先保护
到第一解除保护的写周期。
扇区也可以是
暂时
未受保护的
在下一节中描述。
临时机构撤消操作
此功能允许前临时解除保护
viously保护部门,以便改变
在系统数据。临时机构撤消
模式是通过设置RESET #引脚来激活
V
ID
。在此模式下,以前的保护仲
器进行编程或擦除调用
适当的命令(请参阅设备的COM
mands部分)。一旦V
ID
从RE-删除
SET # ,所有以前受保护的行业是亲
再次tected 。图3示出的算法。
电子身份证模式操作
该电子识别模式提供了制造商和
设备识别和部门保护可证实
阳离子通过DQ识别码输出[ 7 : 0 ]
或DQ [15:0 ] 。这种模式主要用于
编程设备,自动匹配
一个设备向与它的相应编程
荷兰国际集团规划算法。电子ID IN-
形成,也可以由通过主机获得
一个命令序列,如在DE-描述
副命令一节。
操作中的电子ID模式需要V
ID
地址引脚A [ 9] ,与其他要求的
开始
注:所有部门必须
以前的保护。
设置部门组地址:
A [ 18:12 ] =部门NSEC
A0 = A6 = V
IL
A1 = V
IH
增量TRYCNT
适用于V
CC
组: TRYCNT = 1
读数据
NO
组: NSEC = 0
数据= 0×00 ?
设置: A9 = CE # = OE # = V
ID
NO
是的
TRYCNT = 1000 ?
设置: RESET # = V
IH
是的
是的
宽E # = V
IL
NSEC = 18 ?
等待牛逼
W¯¯ P P 2
删除V
NO
NSEC = NSEC + 1
ID
从A9
宽E # = V
IH
部门撤消
完整
设备故障
设置:
A9 = V
ID
OE # = CE # = V
IL
图2.部门撤消程序
修订版4.2 / 5月1日
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