HY29F800
n
在一个扇区擦除或芯片擦除命令SE-
quence ，读/复位命令可能
删除实际上BE-之前写在任何时候
杜松子酒，包括为扇区擦除命令，
周期之间的指定部门
被擦除（见扇区擦除命令DE-
scription ） 。这样就放弃了命令，然后重新
将设备设置为读取模式。一旦era-
确定开始，然而，该设备将忽略读/
重置命令，直到操作的COM
完整的。
n
在程序命令序列，读/
复位指令可能被写入的
实际编程之前的周期序列
开始。这样就放弃了指挥和复位
该装置为读模式，或者擦除
暂停模式，如果程序命令SE-
quence被写入，而该设备在
擦除挂起模式。一旦编程
开始，然而，该设备将忽略读/
重置命令，直到操作的COM
完整的。
n
读/复位命令可能会被写入BE-
补间的循环中的电子ID命令
序列终止该命令。如上所述
以上，曾在电子识别模式下，
读/复位命令
必须
被写入到重新
谈谈读模式。
字节/ Word程序命令
主机处理器的程序的设备的一个字节或
字同时通过发出命令程序
示于表5的序列的序列BE-
轧花通过写入两个解锁周期，随后是
程序设置的命令，最后是数据周期
指定该程序的地址和数据。这
启动自动编程算法，
它提供了内部产生的程序
豆类和VERI网络上课的程序性细胞保证金。
主机不需要提供进一步限制
此操作过程中的控件或定时。当
自动编程算法完成后，
设备返回到读取模式。几个甲
消耗臭氧层物质提供了允许主机确定
在编程操作的状态，如DE-
刻划在写操作状态部分。
执行期间写入设备的命令
自动编程的算法时，忽略
接异。注意，硬件立即复位
终止编程操作。以恩
12
确保数据的完整性，中止的程序命令
序列应该重新开始一次复位
操作完成。
编程允许以任何顺序。只
擦除操作可将所存储的“0”到“1” 。
因此，有些不能从“0 ”编程回
到一个“1”。尝试这样做将设置DQ [5]为“1” ，
而数据＃投票算法将表明，
该操作未成功。读/复位
命令或一个硬件复位被要求退出
这种状态下，和后面的读取将表明
中的数据仍然为“0” 。
图4示出了用于在字节/字的步骤
程序操作。
芯片擦除命令
芯片擦除命令序列由
两个解锁周期，接着擦除的COM
命令，两个附加的解锁周期，然后将
芯片擦除数据周期。在芯片擦除，所有的节
该装置的器被删除，除非保护
部门。该命令序列开始非盟
tomatic擦除算法， preprograms
并验证了整个存储器，除了亲
tected扇区，对于一个全零数据模式之前
电擦除。该装置然后提供
内部产生的擦除所需数量
脉冲和验证中的适当的细胞擦除
单元格边距。主机系统不需要
开始
发行计划
命令序列：
最后一个周期包含
项目地址/数据
检查程序状态
（见写操作状态
部分）
正常退出
DQ [5]出错退出
NO
最后一个字/字节
做了什么？
是的
程序设计
完整
到
错误恢复
图4.编程步骤
修订版4.2 / 5月1日
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
