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    HY57V561620FTP-HI 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V561620FTP-HI图片预览
    型号： HY57V561620FTP-HI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54]
    分类和应用： 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 47 页 / 542 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY57V561620FTP-HI的Datasheet PDF文件第9页  
    11
    Synchronous DRAM Memory 256Mbit
    HY57V561620F(L)T(P)-xI Series
    Document Title
    256Mbit (16M x16) Synchronous DRAM
    Revision History
    Revision No.
    0.1
    History
    Initial Draft
    1. Delete
    1-1. COMMAND TRUTH TABLE for Extended Mode Register
    (Page15)
    2. Insert
    2-1. DQM TRUTH TABLE (Page16)
    0.2
    3. Specitication change :
    3-1. IDD6
    Before : 3 / 1.5mA --> After : 2 / 1mA
    3-2. IDD3N
    Before :25mA --> After : 30mA
    3-3. tCHW / tCLW Change [HY57V561620F(L)T(P)-6x]
    Before :2.0ns --> After : 2.5ns
    Final Ver.
    Jun. 2006
    Preliminary
    Draft Date
    Jun. 2006
    Remark
    Preliminary
    1.0
    Sep. 2006
    Final
    Rev 1.0 / Sep. 2006
    2

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