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    GM76V256CLLET-10 参数 Datasheet PDF下载

    GM76V256CLLET-10图片预览
    型号： GM76V256CLLET-10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28]
    分类和应用： 静态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 10 页 / 136 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM76V256CLLET-10的Datasheet PDF文件第9页  
    GM76V256C Series  
    AC TEST CONDITIONS  
    TA = 0°C to 70°C (Normal) / -25°C to 85°C (Extended) unless otherwise specified.  
    Parameter  
    Input Pulse Level  
    Input Rise and Fall Time  
    Input and Output Timing Reference Levels  
    Output Load  
    Value  
    0.4V to 2.2V  
    5ns  
    1.5V  
    CL = 100pF + 1TTL Load  
    AC TEST LOADS  
    TTL  
    CL(1)  
    Note : Including jig and scope capacitance  
    CAPACITANCE  
    TA = 25°C, f = 1.0MHz  
    Symbol  
    CIN  
    CI/O  
    Parameter  
    Input Capacitance  
    Input /Output Capacitance  
    Condition  
    VIN = 0V  
    VI/O = 0V  
    Max.  
    6
    8
    Unit  
    pF  
    pF  
    Note : These parameters are sampled and not 100% tested  
    Rev 00 / Jul. 2000  
    4

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