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GM71C18163CJ-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71C18163CJ-6图片预览
型号: GM71C18163CJ-6
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 114 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71C18163C  
GM71CS18163CL  
Pin Description  
Pin  
A0-A9  
Function  
Pin  
WE  
OE  
Function  
Read/Write Enable  
Output Enable  
Power (+5V)  
Address Inputs  
A0-A9  
Refresh Address Inputs  
Data Input/Data Output  
Row Address Strobe  
I/O0-I/O15  
RAS  
V
CC  
V
SS  
Ground  
UCAS, LCAS  
Column Address Strobe  
NC  
No Connection  
Ordering Information  
Type No.  
Access Time  
Package  
GM71C(S)18163CJ/CLJ -5  
GM71C(S)18163CJ/CLJ -6  
GM71C(S)18163CJ/CLJ -7  
50ns  
60ns  
70ns  
400 Mil  
42 Pin  
Plastic SOJ  
GM71C(S)18163CT/CLT -5  
GM71C(S)18163CT/CLT -6  
GM71C(S)18163CT/CLT -7  
50ns  
60ns  
70ns  
400 Mil  
44(50) Pin  
Plastic TSOP II  
Absolute Maximum Ratings*  
Symbol  
TA  
Parameter  
Rating  
0 ~ +70  
Unit  
C
Ambient Temperature under Bias  
TSTG  
VIN/OUT  
VCC  
Storage Temperature  
-55 ~ +125  
-1.0 ~ +7.0V  
C
Voltage on any Pin Relative to VSS  
Supply voltage Relative to VSS  
Short Circuit Output Current  
V
V
-1.0 ~ +7.0V  
IOUT  
50  
mA  
W
PD  
1.0  
Power Dissipation  
Note: Operation at or above Absolute Maximum Ratings can adversely affect device reliability.  
Rev 0.1 / Apr’01  
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