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HCR1C60 参数 Datasheet PDF下载

HCR1C60图片预览
型号: HCR1C60
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内容描述: 可控硅整流器 [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 3 页 / 720 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
 
HCR1C60
电气特性
(T
a
=25
 �½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½�)
符号
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压( 1 )
门极触发电流( 2 )
200
500
V
克叔
门极触发电压( 2 )
0.8
1.2
V
GD
I
H
非触发栅极电压
保持电流
2.0
RTH (J -C )
Rth的第(j-一)
dv / dt的
热阻
热阻
兴起关闭状态的爆击率
电压
200
5.0
10
50
160
0.2
V
1.2
分钟。
典型值。
马克斯。
10
200
1.7
单位
V
AK
=V
DRM
uA
V
uA
条件
T
a
=25
℃ 
T
a
=125
I
TM
=1A,PEAK
V
AK
= 6V (DC )中,R
L
= 100欧姆
V
TM
I
GT
T
a
=25
℃ 
T
a
= -40
V
AK
= 6V (DC )中,R
L
= 100欧姆
T
a
=25
℃ 
T
a
= -40
V
V
AK
= 12V ,R
L
= 100欧姆
T
a
=125
I
T=100mA,
门打开,
mA
T
a
=25
℃ 
T
a
= -40
℃/W
℃/W
V/µ
s
结到外壳
结到环境
V
D
=V
DRM
67 %的指数
波形RJK = 1千欧姆TJ = 125
1.正向电流申请1 ms的最长期限,占空比
≤1%.
2. R
GK
当前不包含在测量。
性能
曲线
图1 - 门特点
马克斯。允许外壳温辐射( °
c)
图2 - 最大CaseTemperture
栅极电压( V)
栅极电流(毫安)
通态平均电流(mA )