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HCR1C60 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HCR1C60
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内容描述: 可控硅整流器 [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 3 页 / 720 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
 
HCR1C60
可控硅整流器
█特点
*重复峰值断态电压: 600V
* R.M.S通态电流(I
T( RMS )
=1A)
*低导通电压( 1.2V (典型值) @我
TM
)
 
General
描述
敏感触发可控硅适合于应用程序,其中
栅极电流的限制,例如小型电动机的控制,栅极驱动器
对于大型可控硅,传感和检测电路。
 
绝对最大额定值
(T
a
=25
 �½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½�) 
                   
 
 
 
 
T
S T摹
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-40~150℃
T
j
■工作
结温------------------------------------------------ --- 125 ℃
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压--------------------------------------------- ----------------------- 600V
I
T
RMS
) - R.M.S
通态电流( 180°
导通角) ------------------------------------------ 1.0A
I
T( AV )
- 面积达
通态电流(半正弦波:T已
C
= 45 ° ------------------------------------------0.8A
C)
I
TSM
■浪涌
通态电流(1/2周期, 60Hz的正弦波,不重复) -------------------------
余吨
--Circuit
熔断注意事项(T = 8.3ms的) ------------------------------------------ -----------------
P
GM
--Forward
栅极峰值功率耗散(T
a
=25℃) 
-------------------------------------------------
2
10A
0.9A s
0.5W
2
 
 
 
 
 
 
 
P
G( AV )
--Forward
平均门功耗(T
a
=25℃,�½�=8.3�½��½�) ---------------------------------0.1W
I
FGM
--Forward
栅极峰值电流----------------------------------------------- ------------------------------- 0.2A
V
RGM
--reverse
峰值栅极电压----------------------------------------------- -------------------------------- 5V