2N7002 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	3 页 / 1580 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2N7002

N沟道增强型MOSFET

典型特征

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

VGS=2.0V

VGS=3V

0.6

VGS=4，4.5，5，6，7，8�½�10V

0.5

ID ，漏电流（安培）

0.4

0.3

Tj＝125℃

0.2

Tj＝25℃

0.1

VDS ，漏极至源极电压（伏特）

VGS ，栅 - 源极电压（V ）

图1.输出特性

图2.Transfer特点

BVDSS ，归漏源击穿

电压（伏）

VTH ，归栅源阈值

电压（V）的

1.7

D=250uA

ID=250uA

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

100

150

200

100

150

200

Tj.Junction温度（℃ ）

图3.Breakdown电压变化

随温度

２　

金隅

图4.Gate阈值变化

随温度

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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