2N7002 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	3 页 / 1580 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2N7002

N沟道增强型MOSFET

特征

60V/0.5A,

DS （ ON）

= 7500mΩ （MAX） @V

= 10V 。 ID = 0.5A

DS （ ON）

= 7500mΩ （MAX） @V

= 4.5V 。 ID = 0.2A

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）。

可靠，坚固耐用。

SOT- 23表面贴装封装。

SOT-23

PPLICATIONS

●

在台式电脑或DC / DC转换器电源管理。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

= 25° ，除非另有说明

符号

极限

±20

0.5

单位

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

BVDSS

IDSS

IGSSF

IGSSR

= 25° ，除非另有说明

符号

测试条件

民

典型值。

最大

单位

VGS = 0V ，ID = 10μA

VDS = 60V ， VGS = 0V

VGS = 20V ， VDS = 0V

VGS = -20V ， VDS = 0V

100

-100

µA

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源

RDS （ ON）

导通电阻

VGS = 4.5V ，ID = 0.2A

5250

7500

mΩ

VGS （ TH）

VGS = VDS ， ID = 250μA

VGS = 10V ，ID = 0.5A

4500

2.5

7500

mΩ

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电压

VSD

VGS = 0V， IS = 0.2A

2.5

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案