DDR终端稳压器
电气特性
(1)
TJ2997
(1), (2), (3)
规范与标准字体为T
J
= 25˚ 。除非另外指明， AVIN = 2.5V ， PVIN = VDDQ = 1.8V
(1), (2), (3)
DDRⅡ 。 AVIN = 2.5V ， PVIN = VDDQ = 1.5V
对于DDR
Ⅲ.
为
参数
V
REF
电压
V
REF
电压
符号
V
REF
V
REF
测试条件
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
I
OUT
= 0 A
V
DDQ
= 1.8V ， PVIN = 1.8V
I
OUT
=
±
0.9 A
V
DDQ
= 1.8V ， PVIN = 1.8V
I
OUT
= 0 A
@ V
DDQ
= 1.5V ， PVIN = 1.5V
I
OUT
= ± 0.5 A
(6)
@ V
DDQ
= 1.5V ， PVIN = 1.5V
(6)
I
OUT
= ± 0.9A
@ V
DDQ
= 1.5V ， PVIN = 1.8V
I
OUT
= 0 A
I
OUT
=
±
0.5 A
I
OUT
=
±
0.9 A
(6)
(6)
(6)
分钟。
0.882
0.735
0.86
0.86
0.71
0.71
0.71
-25
-25
-25
-
-
典型值。
0.90
0.75
0.90
0.90
0.75
0.75
0.75
0
0
0
250
100
150
0.1
马克斯。
0.918
0.765
0.94
0.94
0.79
0.79
0.79
25
25
25
500
-
300
0.5
-
0.6
10
0.1
-
单位
V
V
V
TT
输出电压
V
TT
V
V
TT
输出电压
V
TT
V
V
TT
输出电压偏移
静态电流
(4)
V
DDQ
输入阻抗
在关断静态电流
(4)
关断电流
最小启用高级
最大允许低电平
V
TT
在关断漏电流
V
SENSE
输入电流
热关断
(5)
V
OSVTT
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
V
IH
V
IL
I
V
I
SENSE
T
SD
mV
（如适用）
I
OUT
= 0A
uA
kΩ
uA
uA
V
V
uA
uA
℃
EN = 0V
EN = 0V
1.9
(7)
-
EN = 0V，
V
TT
= 1.25V
-
-
-
-
1
-
165
注1：绝对最大额定值指示超出可能会损坏设备的限制。经营范围表示条件
对于该装置旨在是功能性的，但并不保证特定性能极限。为了保证
规格和测试条件见电气特性。保证规格仅适用于测试条件
列出。一些性能特性可能会降低，当设备未列出的测试条件下操作。
注2：在高温下，设备必须基于热敏电阻降额。在SOP8封装的器件必须是
在降额
θ
JA
= 165˚ C / W结到环境没有散热片。
注3.限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过关系确定。
注意，定义为电流流进的AV 4.静态电流
IN
.
注5.最大允许功耗是最高结温，T的函数
J（下最大） ，
结到环境
热阻，
θ
JA
和环境温度，T
A
。超过最大允许功耗会使
芯片温度过高，稳压器将进入热关断。
注6 V
TT
负载调节是通过使用一个10毫秒的脉冲电流和电压电流测量测试
TT
.
注意7.在AV的情况下
IN
> 2.5V ，最小启用高电平AV
IN
* 0.7.
四月， 2011 - R1.0.1
3/13
HTC
HTC [ HTC KOREA TAEJIN TECHNOLOGY CO. ]
