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HSD879D 参数 Datasheet PDF下载

HSD879D图片预览
型号: HSD879D
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内容描述: NPN硅外延型晶体管 [SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 36 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
特性曲线
电流增益&集电极电流
1000
125 C
75 C
o
o
规格。编号: HD200203
发行日期: 1996年7月15日
修订日期: 2002年2月26日
页页次: 2/3
饱和电压&集电极电流
1000
V
CE ( SAT )
@ I
C
=50I
B
25 C
o
饱和电压(MV )
的hFE
100
75 C
o
的hFE @ V
CE
=2V
125 C
25 C
o
o
100
1
10
100
1000
10000
10
1
10
100
1000
10000
集电极电流-I
C
(MA )
集电极电流-I
C
(MA )
电压&集电极电流
10.0
1000
截止频率&集电极电流
V
CE
=10V
截止频率
V
BE(上)
@ V
CE
=2V
1
10
100
1000
10000
ON电压
100
1.0
10
0.1
1
1
10
100
1000
集电极电流
集电极电流
电容&反向偏置电压
100
100
安全工作区
COB
集电极电流-I
C
(MA )
电容(pF)
10
10
P
T
=1ms
1
P
T
=100ms
P
T
=1S
1
1
10
100
0.1
1
10
100
反向偏置电压(V )
正向电压-V
CE
(V)
HSD879D
HSMC产品规格