HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HD200203
发行日期： 1996年7月15日
修订日期： 2002年2月26日
页页次： 1/3
HSD879D
NPN硅外延型晶体管
描述
对于1.5V和3V电子闪光灯使用。
特点
•
充电器上升时间比锗晶体管的快约1毫秒。
•
小饱和电压能够带来更低的功耗和闪烁的时间。
TO-126ML
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ............................................ 1.4 W功率
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 30 V
BVCEX集电极到发射极电压............................................. ....................................... 20 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 10 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................... 6 V
IC集电极电流.............................................................................................................. [3] A
IC集电极电流（时脉） ............................................ .................................................. .... 5 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE
*的hFE
fT
COB
分钟。
10
6
-
-
-
-
140
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.3
0.83
210
200
30
马克斯。
-
-
100
100
0.4
1.5
-
-
-
单位
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
测试条件
IC=1mA
IE=10uA
VCB=20V
VBE=4V
IC = 3A ， IB = 60毫安
VCE = - 1V ， IC = -2A
VCE = 2V ， IC = 3A
VCE = 10V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1KHZ
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSD879D
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
