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HJ112 参数 Datasheet PDF下载

HJ112图片预览
型号: HJ112
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体连接器连接器支架晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 45 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6030
发行日期: 1998年7月1日
修订日期: 2002年8月13日
页页次: 3/4
ON电压& Collcetor电流
10000
10
开关时间&集电极电流
V
CC
= 30V ,我
C
=250I
B1
=-250I
B2
25 C
1000
125 C
o
o
开关时间(我们)
TSTG
上压(MV )
75 C
o
1
Tf
V
BE(上)
@ V
CE
=3V
100
100
0.1
1000
10000
1
10
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流( A)
电容&反向偏置电压
1000
安全工作区
10000
1000
集电极电流(毫安)
电容(pF)
100
100
P
T
=1ms
P
T
=100ms
P
T
=1s
COB
10
10
0.1
1
10
100
1
1
10
100
1000
反向偏置电压(V )
正向电压( V)
钯 - 锝
25
PD (W ) ,功率耗散
20
15
10
5
0
0
50
100
150
o
200
温度锝( C)
HJ112
HSMC产品规格