欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HJ112 参数 Datasheet PDF下载

HJ112图片预览
型号: HJ112
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体连接器连接器支架晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 45 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HJ112的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HJ112的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HJ112的Datasheet PDF文件第4页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6030
发行日期: 1998年7月1日
修订日期: 2002年8月13日
页页次: 1/4
HJ112
NPN外延平面晶体管
描述
的HJ112被设计为在通用放大器和低使用
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-252
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 20瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 100伏
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 100伏
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流.............................................................................................................. 4将
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
COB
分钟。
100
100
-
-
-
-
-
500
1
200
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
10
20
2
2.5
2.8
-
12
-
100
单位
V
V
uA
uA
mA
V
V
K
pF
测试条件
IC=1mA
IC=30mA
VCB=80V
VCE=50V
IC = 2A , IB = 8毫安
IC = 2A , VCE = 3V
IC = 0.5A , VCE = 3V
IC = 2A , VCE = 3V
IC = 4A , VCE = 3V
VCB=10V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HJ112
HSMC产品规格