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ATF-541M4-TR1 参数 Datasheet PDF下载

ATF-541M4-TR1图片预览
型号: ATF-541M4-TR1
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内容描述: 低噪声增强模式伪HEMT的微型无铅封装 [Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Miniature Leadless Package]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 16 页 / 166 K
品牌: HP [ AGILENT(HEWLETT-PACKARD) ]
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ATF- 541M4典型性能曲线
0.60
0.26
0.24
0.55
0.22
FMIN ( dB)的
分贝/ dBm的
40
35
30
25
20
15
10
收益
OIP3
P1dB
FMIN ( dB)的
0.50
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.45
0.40
0.35
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0.10
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
I
ds
(MA )
图6. FMIN与我
ds
在2 GHz ,V
ds
= 3V
[1]
图7. FMIN与我
ds
在900兆赫,V
ds
= 3V
[1]
图8.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在2 GHz ,
V
ds
= 3V
[2]
.
30
40毫安
60毫安
80毫安
40
收益
OIP3
P1dB
2.5
35
2.0
25
分贝/ dBm的
25
1.0
80毫安
60毫安
40毫安
嘎(分贝)
30
FMIN ( dB)的
1.5
20
15
20
0.5
10
15
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
5
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
图9.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在900 MHz时,
V
ds
= 3V
[3]
.
图10. FMIN与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
图11.嘎与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
注意事项:
1. FMIN和最小噪声增益相关
图中( Ga)的值是根据一组
16日做出的噪声系数测量
使用ATN NP5 16个不同的阻抗
测试系统。从这些测量值的真
的fmin和Ga的计算方法。参考噪声
更多的参数,应用程序部分
信息。
使用生产获得2.测量
试验板描述在图5中。
3.输入调整为最低NF和输出
调整最大的OIP3使用
洲际微波炉( ICM )测试
夹具,双存根调谐器和偏压T型接头。
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