ATF- 541M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
[5]
总功耗
[3]
RF输入功率
[5]
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 〜1
-5 〜1
120
2
360
13
150
-65到150
212
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
4.7毫瓦/°C，对于T
L
> 74 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理13 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
有关其他信息，应用部分。
120
100
80
I
DS
（MA ）
0.7V
0.6V
60
0.5V
40
20
0
0.4V
0.3V
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
320
320
CPK = 0.85
标准偏差= 1.14
CPK = 1.16
标准偏差= 0.30
240
300
250
200
CPK = 1.72
标准偏差= 0.072
240
标准-3
160
160
标准-3
3性病
150
100
3性病
80
80
50
0
0
29
32
35
OIP3 （ dBm的）
38
41
15
16
17
18
增益（dB ）
19
20
0
0.3
0.5
0.7
NF（ dB）的
0.9
1.1
图2. OIP3 @ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
LSL = 33.0 ，标称= 35.82
图3.增益@ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
LSL = 15.5 ，额定= 17.5 ， USL = 18.5
图4. NF @ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
额定= 0.5 ， USL = 0.9
注意事项：
6.分布数据样本大小是从6个不同晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
HP [ AGILENT(HEWLETT-PACKARD) ]
