HMC1082LP4E
v00.0513
砷化镓
的pHEMT MMIC介质
功放， 5.5 - 18 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免20毫瓦/°C的
最高结温
热敏电阻（R
TH
)
（结点到地面桨）
工作温度
储存温度
静电放电敏感度（ HBM ）
5.5V
20 dBm的
175 °C
1.81W
141 °C
49.8 ° C / W
-40 ° C至+ 85°C
-65 ℃〜150 ℃的
0级，顺利通过100V
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4
+4.5
+5
IDD （MA ）
220
220
调整VGG1实现电流IDD = 220毫安
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参考赫梯应用笔记
拟议的PCB焊盘布局。
包装信息
产品型号
HMC1082LP4E
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 ％雾锡
MSL等级
[2]
MSL1
包装标志
[1]
H1082
XXXX
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司， 2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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放大器 - 线性& POWER - SMT
6
220
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