HMC1082LP4E
v00.0513
砷化镓
的pHEMT MMIC介质
功放, 5.5 - 18 GHz的
宽带增益&回波损耗
30
20
响应( dB)的
10
0
-10
-20
16
-30
-40
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz )
S21
S11
S22
+25 C
增益与温度
30
26
24
增益(dB )
22
20
18
14
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
频率(GHz )
+85 C
-40 C
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
-35
5.5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
5.5
8
10.5
13
15.5
18
8
10.5
13
15.5
18
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB为与温度的关系
30
28
26
P1dB的( DBM)
P1dB为与电源电压
30
28
26
P1dB的( DBM)
24
22
20
18
16
14
12
5.5
24
22
20
18
16
14
12
5.5
8
10.5
13
15.5
18
8
10.5
13
15.5
18
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
4V
频率(GHz )
4.5V
5V
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