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758LP3E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 758LP3E
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内容描述: 砷化镓pHEMT的SMT低噪声放大器, 700 - 2200兆赫 [GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 700 - 2200 MHz]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 800 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放, 700 - 2200兆赫
增益与温度,VDD = 5V +
25
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应( dB)的
10
S21
Vdd=5V
Vdd=3V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
23
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
增益(dB )
5
21
+25C
+85C
-40C
19
17
S22
S11
1
2
3
4
频率(GHz )
5
6
15
0.5
0.9
1.3
1.7
频率(GHz )
2.1
2.5
增益与温度,VDD = 3V +
25
输入回波损耗与
温度,VDD = 5V +
0
23
回波损耗(分贝)
-5
+25C
+85C
-40C
增益(dB )
21
+25C
+85C
-40C
-10
19
17
-15
15
0.5
0.9
1.3
1.7
频率(GHz )
2.1
2.5
-20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率(GHz )
2.1
2.5
输出回波损耗与
温度,VDD = 5V +
0
反向隔离与
温度,VDD = 5V +
0
-10
回波损耗(分贝)
-5
隔离度(dB )
+25C
+85C
-40C
-20
-30
-40
-50
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率(GHz )
2.1
2.5
-60
0.5
0.9
1.3
1.7
频率(GHz )
2.1
2.5
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