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2SB955K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB955K
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内容描述: PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 38 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB955(K)
最大集电极耗散
曲线
50
集电极耗散功率P
C
(W)
安全工作区
–30
–10
集电极电流I
C
(A)
I
C(最大值)
–3
–1.0
–0.3
TA = 25°C
–0.1
–0.03
–3
i
C(峰值)
ot
)
sh
°
C
ot
25
s1
=
sh
m
1
s1
=
(T
C
m
离子
PW
10
at
er
Op
40
PW
=
30
DC
20
10
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
–10
–30
–100
–300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
2.0
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
30000
直流电流传输比H
FE
V
CE
= –3 V
脉冲
–10
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
–8
1
.5
–6
1.0
0.9
P
C
=
.8
0
50
W
0.7
0.6
10000
3000
1000
300
100
30
–0.3
5
°
C
=7
5
2
Ta
5
–2
0.5
–4
0.4毫安
–2
I
B
= 0
0
–6
–8
–10
–2
–4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
–1.0
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
–30
3