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2SB955K 参数 Datasheet PDF下载

2SB955K图片预览
型号: 2SB955K
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内容描述: PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 38 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB955(K)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
C至ê二极管的正向电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
注:1。价值在T
C
= 25°C
2. PW
1毫秒1次射门
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
I
D
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
等级
–120
–120
–7
–10
–15
10
50
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
符号
–120
–7
1000
典型值
0.8
4.0
最大
–100
–10
20000
–1.5
–3.0
–2.0
–3.5
3.0
V
V
V
V
V
µs
µs
单位
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= -25毫安,R
BE
=
I
E
= -200毫安,我
C
= 0
V
CB
= -120 V,I
E
= 0
V
CE
= -100 V ,R
BE
=
V
CE
= -3 V,I
C
= –5 A*
1
I
C
= -5 A,I
B
= -10毫安*
1
I
C
= -10 A,I
B
= –0.1 A*
1
I
C
= -5 A,I
B
= -10毫安*
1
I
C
= -10 A,I
B
= –0.1 A*
1
I
D
= 10 A*
1
V
CC
= –30 V
I
C
= -5 A,I
B1
= –I
B2
= -10毫安
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
C至ê二极管的正向电压
启动时间
关闭时间
注意:
1.脉冲测试
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
V
D
t
on
t
关闭
2