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2SB727K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB727K
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 39 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB727(K)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
10,000
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
–4
直流电流传输比H
FE
典型的输出特性
–5
–0.9
–0.8
3,000
–3
–0.7
–0.6
–0.5
–2
–0.4
–0.3
–0.2
1,000
°
C
75
=
T
C
5
°
2 5
°
–2
V
CE
= –3 V
300
–1
I
B
= -0.1毫安
0
–1
–2
–3
–4
–5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
100
–0.1
–0.3
–1.0
–3
集电极电流I
C
(A)
–10
饱和电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
–10
10
开关时间与集电极电流
500
3
开关时间t(微秒)
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
–0.1
t
f
t
on
t
英镑
–3
–1.0
V
BE (SAT)
l
C
/l
B
= 200
1,000
/l
B
= 1,000
l
C
200
V
CE (SAT)
–0.3
T
C
= 25°C
–0.1
–0.1
50
0
V
CC
= 30 V
I
CC
= 500 I
B1
= –500 I
B2
TA = 25°C
–0.3
–1.0
–3
集电极电流I
C
(MA )
–10
–0.3
–1.0
–3
集电极电流I
C
(MA )
–10
3