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2SB727K 参数 Datasheet PDF下载

2SB727K图片预览
型号: 2SB727K
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 39 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB727(K)
电气特性
( TA = 25°C )
符号
–120
–7
1000
典型值
1.0
3.0
最大
–100
–10
20000
–1.5
–3.0
–2.0
–3.5
V
V
V
V
µs
µs
单位
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= -25毫安,R
BE
=
I
E
= -50毫安,我
C
= 0
V
CB
= -120 V,I
E
= 0
V
CE
= -100 V ,R
BE
=
V
CE
= -3 V,I
C
= –3 A*
1
I
C
= -3 A,I
B
= -6毫安*
1
I
C
= -6 A,I
B
= -60毫安*
1
I
C
= -3 A,I
B
= -6毫安*
1
I
C
= -6 A,I
B
= -60毫安*
1
I
C
= -3 A,I
B1
= –I
B2
= -6毫安
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意:
1.脉冲测试
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
t
on
t
关闭
最大集电极耗散曲线
60
集电极耗散功率PC( W)
安全工作区
–30 I
C(最大值)
(连续)
i
C(峰值)
–10
–3
1
µs
10
集电极电流I
C
(A)
0
µ
40
s
s
ms
n
1m
0
TIO
=1
ERA
PW
Op
°
C)
DC = 25
(T
C
–1.0
–0.3
TA = 25°C
-0.1 1次脉冲
–0.03
–1
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
–3
–10 –30 –100 –300 –1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2