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    2SB649A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB649A图片预览
    型号： 2SB649A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 38 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB649A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB649A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB649A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB649A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB649A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SB649A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SB649A的Datasheet PDF文件第8页  
    2SB649 ， 2SB649A
    直流电流传输比
    与集电极电流
    V
    CE
    = –5V
    TA = 75
    °C
    25
    °C
    集电极到发射极饱和
    电压与集电极电流
    集电极到发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    (V)
    –1.2
    I
    C
    = 10 I
    B
    –1.0
    –0.8
    –0.6
    –0.4
    –0.2
    –0
    –1
    350
    直流电流传输比H
    FE
    350
    250
    200
    150
    100
    50
    –25°C
    Ta
    –100
    –10
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    V
    CE
    = –5 V
    80
    40
    0
    –10
    =7
    –25
    25
    –1,000
    增益带宽积
    与集电极电流
    –100
    –300
    –30
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    0
    –1
    –10
    –100
    –1,000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    基地发射极饱和电压
    与集电极电流
    –1.2
    基地发射极饱和电压
    V
    BE （ SAT ）
    (V)
    –1.0
    –0.8
    –0.6
    –0.4
    –0.2
    –0
    –1
    TA =
    C
    –25
    °
    25
    75
    240
    增益带宽乘积F
    T
    （兆赫）
    I
    C
    = 10 I
    B
    200
    160
    120
    5
    °
    C
    –1,000
    –10
    –100
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1,000
    5

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