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2SB649A 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SB649A
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 38 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SB649 ， 2SB649A

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SB649

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

民

典型值

最大

—

—

—

–10

320

—

–1

–1.5

—

—

2SB649A

民

典型值

最大

—

—

—

–10

200

—

–1

–1.5

—

—

V

V

兆赫

pF

单位

V

V

V

µA

测试条件

I

C

= -1毫安，我

E

= 0

I

C

= -10毫安，R

BE

=

∞

I

E

= -1毫安，我

C

= 0

V

CB

= -160 V，I

E

= 0

V

CE

= –5 V,

I

C

= ± 150毫安

V

CE

= –5 V,

I

C

= -500毫安*

2

I

C

= -500毫安，

I

B

= -50毫安

V

CE

= –5 V,

I

C

= ± 150毫安

V

CE

= –5 V,

I

C

= ± 150毫安

V

CB

= -10 V，I

E

= 0,

F = 1 MHz的

–180 —

–120 —

–5

—

60

30

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

140

27

–180 —

–160 —

–5

—

60

30

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

140

27

直流电流传输比H

FE1

*

1

h

FE2

集电极到发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

基极至发射极电压V

BE

增益带宽乘积F

T

集电极输出

电容

COB

注：1. 2SB649和2SB649A是用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试

B

2SB649

2SB649A

60至120

60至120

C

100至200

100至200

D

160到320

—

3

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