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    2SB1688 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1688图片预览
    型号： 2SB1688
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    内容描述： PNP硅外延的高电压放大器 [Silicon PNP Epitaxial High voltage amplifier]
    分类和应用： 放大器
    文件页数/大小： 7 页 / 40 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1688的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1688的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1688的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB1688的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB1688的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SB1688的Datasheet PDF文件第7页  
    2SB1688
    主要特点
    典型的输出特性
    最大集电极耗散曲线
    1.5
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    -70
    µA
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    -8
    -40
    µA
    -30
    µA
    -20
    µA
    I
    B
    = -10
    µA
    脉冲测试
    0
    50
    100
    环境温度Ta （C ）
    150
    0
    -20
    -40
    -60
    -80
    -100
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    -50
    µA
    -10
    -60
    µA
    1.0
    -6
    -4
    0.5
    -2
    典型的传输特性
    -100
    1,000
    25°C
    -10
    TA = 75℃
    100
    直流电流传输比H
    FE
    TA = 75℃
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    25°C
    -25°C
    -1.0
    V
    CE
    = -6 V
    脉冲测试
    -0.1
    -25°C
    10
    V
    CE
    = -6 V
    脉冲测试
    1
    -0.1
    -0.01
    0
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    -0.2
    -0.4
    -0.6
    -0.8
    -1.0
    -1.0
    -10
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    -100

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