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2SB1688 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1688
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内容描述: PNP硅外延的高电压放大器 [Silicon PNP Epitaxial High voltage amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 7 页 / 40 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1688
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-300
-300
-5
-50
750
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
基地发射极电压
直流电流传输raito
I
EBO
V
BE
h
FE
80
典型值
最大
-0.1
-0.1
-10
-0.75
160
-0.9
单位
µA
µA
µA
V
V
测试条件
V
CB
= -300V ,我
E
= 0
V
CE
= -300V ,R
BE
=∞
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -2mA
I
C
= -30mA ,我
B
= -3mA
集电极到发射极饱和V
CE ( SAT )
电压
2