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2SB1012K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1012K
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 6 页 / 36 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1012(K)
饱和电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
–10
200
–3
–1.0
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.03
TA = 25°C
脉冲测试
V
CE (SAT)
l
C
/l
B
= 200
500
500
开关时间t(微秒)
V
BE (SAT)
3
1.0
0.3
0.1
0.03
TA = 25°C
V
CC
= –30 V
I
C
= 500 I
B1
= –500 I
B2
–0.1
–0.3
–1.0
集电极电流I
C
(A)
–3
t
英镑
t
on
t
f
10
开关时间与集电极电流
–0.1
–0.3
–1.0
集电极电流I
C
(A)
–3
0.01
–0.03
瞬态热阻
100
热阻
θ
J- ç
( ° C / W)
30
10
3
1.0
0.3
T
C
= 25°C
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
时间T
10
10
100 (s)
100( ms)的
0.1–100 s
0.1–100
ms
4