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    2SB1012K 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1012K图片预览
    型号： 2SB1012K
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    内容描述： PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 36 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1012K的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1012K的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1012K的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB1012K的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB1012K的Datasheet PDF文件第6页  
    2SB1012(K)
    最大集电极耗散曲线
    30
    集电极耗散功率PC（ W）
    –3
    –1.0
    –0.3
    DC
    (T
    C
    安全工作区
    i
    C（峰值）
    I
    C（最大值）
    0
    µ
    10
    s
    1
    µs
    集电极电流I
    C
    (A)
    PW
    =
    1m
    20
    s
    10
    –0.1
    -0.03 TA = 25℃
    1次脉冲
    –0.01
    –0.003
    –3
    ms
    5
    °
    C
    =2
    10
    0
    50
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    150
    –10
    –30
    –100
    –300
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    典型的输出特性
    –5
    直流电流传输比H
    FE
    T
    C
    = 25°C
    脉冲
    -7毫安毫安-5
    -3毫安
    = 1毫安
    -0.5毫安
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    30,000
    V
    CE
    = –3 V
    10,000
    3,000
    1,000
    300
    100
    30
    –0.03
    =
    Ta
    C
    75
    °
    )
    集电极电流I
    C
    (A)
    –4
    –3
    –2
    25°C
    –25°C
    脉冲测试
    –1
    I
    B
    = -0.3毫安
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    –0.1
    –0.3
    –1.0
    集电极电流I
    C
    (A)
    –3
    3

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