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2SA778(K)TZ 参数 Datasheet PDF下载

2SA778(K)TZ图片预览
型号: 2SA778(K)TZ
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 45 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA778 ( K) , 2SA778A ( K)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
V
CE
= –3 V
75
50
集电极到发射极饱和电压与
集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
–2.0
I
C
= 10 I
B
140
直流电流传输比H
FE
120
–1.6
100
25
–1.2
0
80
TA =
–25
°
C
–0.8
60
–0.4
40
–1
–2
–5
–10
–20
集电极电流I
C
(MA )
–50
0
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2
–5 –10 –20
集电极电流I
C
(MA )
–50
集电极输出电容C
ob
(PF )
发射器的输入电容C
ib
(PF )
基地发射极饱和电压与
集电极电流
–0.9
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
I
C
= 10 I
B
–25
0
输入和输出电容与
电压
12
10
8
6
C
ob
(I
E
= 0)
4
2
0
–0.5 –1.0 –2
–5 –10 –20
–50
集电极基极电压V
CB
(V)
发射器基极电压V
EB
(V)
C
ib
(I
C
= 0)
F = 1 MHz的
–0.8
–0.7
25
50
5
°
C
=7
–0.6
Ta
–0.5
–0.4
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2
–5 –10 –20
集电极电流I
C
(MA )
–50
5