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2SA778(K)TZ 参数 Datasheet PDF下载

2SA778(K)TZ图片预览

型号：	2SA778(K)TZ
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内容描述：	[Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 45 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SA778 （ K）， 2SA778A （ K）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

Tj

TSTG

2SA778(K)

–150

–150

–5

–50

200

150

-55到+150

2SA778A(K)

–180

–180

–5

–50

200

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SA778(K)

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CER

I

CBO

民

典型值

最大

—

—

–1.0

—

–1.0

—

–1.0

2SA778A(K)

民

典型值

最大

—

—

—

–1.0

–1.0

200

–1.0

V

V

pF

兆赫

ns

µs

µs

单位

V

V

µA

µA

µA

测试条件

I

C

= –50

µA,

I

E

= 0

I

C

= –50

µA,

R

BE

= 30 kΩ

V

CB

= -100 V，I

E

= 0

V

CB

= -150 V，I

E

= 0

V

EB

= -5 V，I

C

= 0

V

CE

= –3 V,

I

E

= -15毫安

I

C

= -15毫安，

I

B

= -1毫安

I

C

= -15毫安，

I

B

= -1毫安

V

CB

= -10 V，I

E

= 0,

F = 1 MHz的

V

CE

= –3 V,

I

C

= -15毫安

V

CC

= –10.3 V

I

C

= 10 I

B1

= –10

I

B2

= -10毫安

V

CC

= –10 V,

I

C

= -17毫安

I

B1

= -1mA ，

I

B2

= -12毫安

–150 —

–150 —

—

—

—

—

—

100

–0.3

–180 —

–180 —

—

—

—

40

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

100

–0.3

发射Cuto FF电流

I

EBO

—

30

—

—

—

—

—

—

—

直流电流传输比H

FE

集电极到发射极

饱和电压

基极到发射极

饱和电压

集电极输出

电容

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

COB

–0.77 –1.0

—

50

135

1.7

—

10

—

—

—

1.0

–0.77 –1.0

—

50

135

1.7

—

10

—

—

—

1.0

增益带宽乘积F

T

启动时间

关闭时间

贮存时间

t

on

t

关闭

t

英镑

2

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