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2SA673AK 参数 Datasheet PDF下载

2SA673AK图片预览
型号: 2SA673AK
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 38 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA673A(K)
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
( mW)的
600
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2 –5 –10 –20 –50 –100 –200 –500
集电极电流I
C
(MA )
I
C
= 10 I
B
400
200
0
100
150
50
环境温度Ta (C )
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
–1.1
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–25
0
25
50
C
75
°
a=
T
集电极输出电容C
ob
(PF )
发射器的输入电容C
ib
(PF )
基地发射极饱和电压与
集电极电流
输入和输出电容
与电压
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.1
C
ob
(I
E
= 0)
C
ib
(I
C
= 0)
F = 1 MHz的
I
C
= 10 I
B
–0.4
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2 –5 –10 –20 –50 –100 –200 –500
集电极电流I
C
(MA )
–0.3
–1.0
–3
–10
集电极基极电压V
CB
(V)
发射器基极电压V
EB
(V)
–30
5