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2SA673AK 参数 Datasheet PDF下载

2SA673AK图片预览
型号: 2SA673AK
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 38 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA673A(K)
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–50
–50
–4
60
10
典型值
–0.64
–0.2
–0.87
120
0.3
0.6
0.4
最大
–0.5
–0.5
–0.6
320
兆赫
µs
µs
µs
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
V
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V,I
E
= 0
V
EB
= -3 V,I
C
= 0
V
EB
= -3 V,I
C
= -10毫安
I
C
= -150毫安,我
B
= -15毫安*
2
I
C
= -150毫安,我
B
= -15毫安*
2
V
CE
= -3 V,I
C
= -10毫安
V
CE
= -3 V,I
C
= -500毫安*
2
V
CE
= -3 V,I
C
= -10毫安
V
CC
= –10.3 V
I
C
= 10 I
B1
= –10 I
B2
= -10毫安
V
CC
= –5 V,
I
C
= I
B1
= I
B2
= -20毫安
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
直流电流传输比
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
BE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
*
1
h
FE
增益带宽积
启动时间
关闭时间
贮存时间
f
T
t
on
t
关闭
t
英镑
注:1. 2SA673A ( K)为h分组
FE
如下。
2.脉冲测试
B
60至120
C
100至200
D
160到320
见2SA673A除上述以外, - 所说特性曲线。
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