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    2SA1194 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1194图片预览
    型号： 2SA1194
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 38 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1194的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1194的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1194的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA1194的Datasheet PDF文件第5页  
    2SA1194(K)
    典型的输出特性
    P
    c
    =
    .0
    –0.8
    8W
    –1
    .6
    T
    C
    = 25°C
    –0
    4
    –0.
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    100,000
    直流电流传输比H
    FE
    30,000
    10,000
    3,000
    1,000
    300
    100
    –10
    V
    CE
    = –3 V
    脉冲
    TA = 75℃
    25°C
    –1,000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –800
    –600
    –400
    –0.2
    –0.1
    –0.08
    –0.06
    –0.04
    –0.02
    –200
    -0.01毫安
    –0.01
    0
    I
    B
    = 0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    –30
    –100
    –300
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1,000
    饱和电压与集电极电流
    集电极到发射极饱和电压
    V
    CE （SAT）
    (V)
    基地发射极饱和电压
    V
    BE （SAT）
    (V)
    –10
    l
    C
    = 500 l
    B
    脉冲
    –3
    TA = 25°C
    –1.0
    V
    CE （SAT）
    –0.3
    75°C
    V
    BE （SAT）
    开关时间t（微秒）
    10
    3
    1.0
    开关时间与集电极电流
    t
    关闭
    t
    英镑
    t
    on
    t
    d
    0.3
    0.1
    0.03
    –0.1
    –10
    –30
    –100
    –300
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1,000
    0.01
    –10
    I
    C
    = 500 I
    B
    TA = 25°C
    –30
    –100
    –300
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1,000
    开关时间测试电路
    I
    C
    V
    IN
    R
    1
    t
    r
    , t
    f
    ≤
    10ns
    V
    IN
    PW
    ≥
    10µs
    占空比
    ≤
    10%
    l
    B1
    l
    B2
    0
    D.U.T.
    R
    L
    –
    +
    –
    V
    CC
    t
    d
    t
    on
    输入
    –10 V
    0
    产量
    响应波形
    10%
    90%
    t
    英镑
    10%
    90%
    t
    关闭
    R
    2
    0.002
    µ
    0.002
    µ
    50
    V
    BB
    6V
    +
    10%
    90%
    50
    µ
    50
    µ
    3

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