2SA1194 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1194
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 38 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SA1194(K)

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

–60

—

1000

—

典型值

—

0.7

0.8

最大

—

–1.0

—

–2.0

—

µs

= -500毫安

= –I

= -1毫安

单位

µA

测试条件

= -1毫安，R

∞

= -60 V，I

= 0

= -7 V，I

= 0

= -3 V，I

= -500毫安*

= -500毫安，我

= -1毫安*

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

启动时间

关闭时间

注意：

1.脉冲测试

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

关闭

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率PC（ W）

–10

–3 i

C（峰值）

–1.0

–0.3

–0.1

–0.03

安全工作区

集电极电流I

(A)

C（最大值）

PW = 10毫秒（ 1次射门）

（T C 0

= PE

25鼠

碳离子

)

s (1

笑

100

案例温度T

(°C)

150

TA = 25°C

–0.01

–0.1 –0.3 –1.0

–3

–10 –30 –100

集电极到发射极电压V

(V)

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