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2SA1190ERR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1190ERR
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 47 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA1190 , 2SA1191
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
1,000
TA = 75℃
直流电流传输比H
FE
300
–25
–1.0
I
C
= 10 I
B
脉冲
–0.3
集电极到发射极饱和电压与
集电极电流
25
100
–0.1
TA = 75℃
–25
30
V
CE
= –12 V
脉冲
10
–1
–3
–10
–30
集电极电流I
C
(MA )
–100
–0.03
25
–0.01
–1
–3
–10
–30
集电极电流I
C
(MA )
–100
基地发射极饱和电压与
集电极电流
–10
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
I
C
= 10 I
B
脉冲
–3
25
1,000
增益带宽积主场迎战
集电极电流
V
CE
= –6 V
500
200
100
50
–1.0
TA = -25°C
75
–0.3
20
10
–0.5 –1.0 –2
–5 –10 –20
集电极电流I
C
(MA )
–0.1
–1
–3
–10
–30
集电极电流I
C
(MA )
–100
–50
6