2SA1190ERR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1190ERR
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内容描述：	[Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小：	10 页 / 47 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SA1190 ， 2SA1191

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SA1190

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流转接率

集电极到发射极

饱和电压

基极到发射极

饱和电压

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

民

–90

–5

—

250

—

典型值

—

最大

—

–0.1

800

2SA1191

民

典型值

最大

—

–0.1

800

单位

µA

测试条件

= –10

µA,

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

µA,

= 0

= -70 V，I

= 0

= -2 V，I

= 0

= –12 V,

= -2毫安*

= -10毫安，

= -1毫安*

–120 —

–5

—

250

—

–0.05 –0.15 —

–0.7

130

3.2

0.15

–1.0

—

1.5

—

–0.05 –0.15 V

–0.7

130

3.2

0.15

–1.0

—

1.5

兆赫

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

噪声系数

COB

= –6 V,

= -10毫安

= -10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

= –6 V,

= -0.1毫安，

= 10 kΩ

F = 1千赫

= –6 V,

= -0.1毫安，

= 10 kΩ

F = 10赫兹

= –6 V,

= -10毫安，

RG = 0中，f = 1千赫

—

0.2

2.0

—

0.2

2.0

噪声电压下文称

TO INPUT

—

0.7

—

0.7

—

内华达州/

√Hz的

注：1. 2SA1190与2SA1191都用h分组

如下。

2.脉冲测试

250至500

400至800

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